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J-GLOBAL ID：201502218710323211 整理番号：15A1103737

Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価

Evaluation of interface and near-interface traps in Al-germanate/Ge structure fabricated by Radical-Enhanced ALD

著者 (5件)：

成田英史

(弘前大)

山田大地

(諏訪東京理大)

福田幸夫

(諏訪東京理大)

鹿糠洋介

(弘前大)

岡本浩

(弘前大)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 115 号： 179(CPM2015 31-45) ページ： 67-70 発行年： 2015年08月03日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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