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文献
J-GLOBAL ID：201502219550038686
整理番号：15A1343923
ALD Zn(O,S)緩衝層の局所電子構造と幾何学的配置のX線吸収分光法を利用する探索
Exploring the local electronic structure and geometric arrangement of ALD Zn(O,S) buffer layers using X-ray absorption spectroscopy
DADLANI Anup L.
(Dep. of Chemistry, Stanford Univ., Stanford, CA 94305, USA)
,
TREJO Orlando
,
ACHARYA Shinjita
,
TORGERSEN Jan
,
PETOUSIS Ioannis
,
NORDLUND Dennis
,
SARANGI Ritimukta
,
SCHINDLER Peter
,
PRINZ Fritz B.
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3 号： 47 ページ： 12192-12198 発行年： 2015年12月21日
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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