文献
J-GLOBAL ID:201502219814521186
整理番号:15A1248231
Fe/GaN強磁性Schottky障壁ダイオードの時間依存1/f雑音特性
Temperature dependent 1/f noise characteristics of the Fe/GaN ferromagnetic Schottky barrier diode
著者 (5件):
KUMAR Ashutosh
(Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi, IND)
,
NAGARAJAN S
(Aalto Univ., Aalto, FIN)
,
SOPANEN M
(Aalto Univ., Aalto, FIN)
,
KUMAR V
(Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi, IND)
,
SINGH R
(Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi, IND)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
30
号:
10
ページ:
105022,1-7
発行年:
2015年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)