文献
J-GLOBAL ID:201502219995983542
整理番号:15A0841886
窒素雰囲気中におけるパルスレーザー蒸着法によるサファイア(0001)基板上へのβ-AlN薄膜のヘテロエピタキシャル成長
Heteroepitaxial growth of β-AlN films on sapphire (0001) in nitrogen atmospheres by pulse laser deposition
著者 (8件):
YOSHIDA Tomohiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YOSHIDA Tomohiro
(Kurume National Coll. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
UEDA Yutaro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
DAIO Takeshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TOMINAGA Aki
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OKAJIMA Toshihiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OKAJIMA Toshihiro
(Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN)
,
YOSHITAKE Tsuyoshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
6S1
ページ:
06FJ05.1-06FJ05.3
発行年:
2015年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)