文献
J-GLOBAL ID:201502220086138158
整理番号:15A0922333
Si高電子移動度トランジスタのCドープAlGaN/GaN中の電場低減
Electric Field Reduction in C-Doped AlGaN/GaN on Si High Electron Mobility Transistors
著者 (6件):
UREN Michael J.
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
CAESAR Markus
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
KARBOYAN Serge
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
MOENS Peter
(ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL)
,
VANMEERBEEK Piet
(ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL)
,
KUBALL Martin
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
8
ページ:
826-828
発行年:
2015年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)