文献
J-GLOBAL ID:201502220140431044
整理番号:15A1004886
(001)-Si基板上に成長させた三次元Ge結晶におけるエッジ貫通転位b=1/2〈110〉の分析
Analysis of edge threading dislocations b→=12〈110〉 in three dimensional Ge crystals grown on (001)-Si substrates
著者 (9件):
ARROYO ROJAS DASILVA Y.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
ROSSELL M. D.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
KELLER D.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
GROENING P.
(Advanced Materials and Surfaces, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
ISA F.
(Solid State Physics Lab., ETH, Zurich, CHE)
,
KREILIGER T.
(Solid State Physics Lab., ETH, Zurich, CHE)
,
VON KAENEL H.
(Solid State Physics Lab., ETH, Zurich, CHE)
,
ISELLA G.
(L-NESS and Dep. of Physics, Politecnico di Milano, Como, ITA)
,
ERNI R.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
9
ページ:
093501-093501-4
発行年:
2015年08月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)