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文献
J-GLOBAL ID：201502220140431044
整理番号：15A1004886
(001)-Si基板上に成長させた三次元Ge結晶におけるエッジ貫通転位b=1/2〈110〉の分析
Analysis of edge threading dislocations b→=12〈110〉 in three dimensional Ge crystals grown on (001)-Si substrates
ARROYO ROJAS DASILVA Y.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
ROSSELL M. D.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
KELLER D.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
GROENING P.
(Advanced Materials and Surfaces, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
,
ISA F.
(Solid State Physics Lab., ETH, Zurich, CHE)
,
KREILIGER T.
(Solid State Physics Lab., ETH, Zurich, CHE)
,
VON KAENEL H.
(Solid State Physics Lab., ETH, Zurich, CHE)
,
ISELLA G.
(L-NESS and Dep. of Physics, Politecnico di Milano, Como, ITA)
,
ERNI R.
(Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Sci. and Technol., Duebendorf, CHE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 107 号： 9 ページ： 093501-093501-4 発行年： 2015年08月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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