文献
J-GLOBAL ID:201502220190514587
整理番号:15A1140930
完全に空乏化したSOI膜に対する蓄積モードでの電子移動度の密度依存性
Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films
著者 (5件):
NAUMOVA O. V.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
ZAITSEVA E. G.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
FOMIN B. I.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
ILNITSKY M. A.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
POPOV V. P.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
10
ページ:
1316-1322
発行年:
2015年10月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)