文献
J-GLOBAL ID:201502220846772502
整理番号:15A1310231
抵抗スイッチングメモリにおける雑音誘起抵抗拡がり 第1部:固有セルの振舞い
Noise-Induced Resistance Broadening in Resistive Switching Memory-Part I: Intrinsic Cell Behavior
著者 (6件):
AMBROGIO Stefano
(Politecnico di Milano, Milan, ITA)
,
BALATTI Simone
(Politecnico di Milano, Milan, ITA)
,
MCCAFFREY Vincent
(Adesto Technol., CA, USA)
,
MCCAFFREY Vincent
(Maxim Integrated, CA, USA)
,
WANG Daniel C.
(Adesto Technol., CA, USA)
,
IELMINI Daniele
(Politecnico di Milano, Milan, ITA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
62
号:
11
ページ:
3805-3811
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)