文献
J-GLOBAL ID:201502220921872569
整理番号:15A0777247
低温蒸着バッファ層によるサファイア上のGaN層の成長およびマグネシウムドーピングと電子ビーム照射によるp型GaNの実現(ノーベル賞講演)
Growth of GaN Layers on Sapphire by Low-Temperature-Deposited Buffer Layers and Realization of p-type GaN by Magesium Doping and Electron Beam Irradiation (Nobel Lecture)
著者 (1件):
AMANO Hiroshi
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Venture Business Lab., Akasaki Res. Center, Nagoya Univ. (Japan). ...)
資料名:
Angewandte Chemie. International Edition
(Angewandte Chemie. International Edition)
巻:
54
号:
27
ページ:
7764-7769
発行年:
2015年06月26日
JST資料番号:
H0127B
ISSN:
1433-7851
CODEN:
ACIEAY
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)