文献
J-GLOBAL ID:201502220960360532
整理番号:15A1126728
GaNH EMTデバイスのXパラメータ測定:ロードプル特性化試験装置の複雑性低減研究【Powered by NICT】
X-parameter measurement on a GaN HEMT device: complexity reduction study of load-pull characterization test setup
著者 (1件):
Wang Yelin
(Dep. of Electronic Systems, Aalborg Univ., Denmark, Aalborg O)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
36
号:
2
ページ:
024004-1-024004-10
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)