文献
J-GLOBAL ID:201502221057956603
整理番号:15A1103727
絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製
Low temperature deposition of SiNx films as an insulating barrier
著者 (6件):
武山真弓
(北見工大)
,
佐藤勝
(北見工大)
,
小林靖志
(富士通研)
,
中田義弘
(富士通研)
,
中村友二
(富士通研)
,
野矢厚
(北見工大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
115
号:
179(CPM2015 31-45)
ページ:
15-18
発行年:
2015年08月03日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)