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文献
J-GLOBAL ID：201502221171535448
整理番号：15A1140928
層状ε-GaSe半導体中の相間境界の電荷中性レベルと電子特性
On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor
BRUDNYI V. N.
(Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS)
,
SARKISOV S. Yu.
(Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS)
,
KOSOBUTSKY A. V.
(Kemerovo State Univ., 650043, Kemerovo, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 49 号： 10 ページ： 1307-1310 発行年： 2015年10月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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