文献
J-GLOBAL ID:201502221171535448
整理番号:15A1140928
層状ε-GaSe半導体中の相間境界の電荷中性レベルと電子特性
On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor
著者 (3件):
BRUDNYI V. N.
(Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS)
,
SARKISOV S. Yu.
(Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS)
,
KOSOBUTSKY A. V.
(Kemerovo State Univ., 650043, Kemerovo, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
10
ページ:
1307-1310
発行年:
2015年10月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)