文献
J-GLOBAL ID:201502221178706566
整理番号:15A1044091
高性能用途のためのPトレンチを使った新しいLDMOS構造
A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications
著者 (4件):
OROUJI Ali A.
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
,
ALLAH Mansoori Hojjat
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
,
DIDEBAN A.
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
,
SHAHNAZARISANI Hadi
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
39
ページ:
654-658
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)