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文献
J-GLOBAL ID：201502221178706566
整理番号：15A1044091
高性能用途のためのPトレンチを使った新しいLDMOS構造
A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications
OROUJI Ali A.
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
,
ALLAH Mansoori Hojjat
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
,
DIDEBAN A.
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
,
SHAHNAZARISANI Hadi
(Electrical and Computer Engineering Dep., Semnan Univ., Semnan, IRAN)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 39 ページ： 654-658 発行年： 2015年11月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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