文献
J-GLOBAL ID:201502221188810700
整理番号:15A0698179
アモルファスカーボン/SiO2界面での剥離の原因としての水素蓄積
Hydrogen accumulation as the origin of delamination at the a-carbon/SiO2 interface
著者 (5件):
SEGURA-RUIZ J.
(Inst. Laue-Langevin, F-38042 Grenoble, FRA)
,
GUTFREUND P.
(Inst. Laue-Langevin, F-38042 Grenoble, FRA)
,
IMBERT G.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, FRA)
,
PONARD A.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, FRA)
,
CUBITT R.
(Inst. Laue-Langevin, F-38042 Grenoble, FRA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
117
号:
21
ページ:
215302-215302-5
発行年:
2015年06月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)