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文献
J-GLOBAL ID：201502221199962570
整理番号：15A1374935
Ni/SiO2/n-4H SiC MOSデバイスにおけるFowler-Nordheim電子トンネリングメカニズム
Fowler-Nordheim electron tunneling mechanism in Ni/SiO2/n-4H SiC MOS devices
KODIGALA Subba Ramaiah
(California State Univ., CA, USA)
,
CHATTOPADHYAY S.
(California State Univ., CA, USA)
,
OVERTON C.
(California State Univ., CA, USA)
,
ARDOIN I.
(California State Univ., CA, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 114 ページ： 104-110 発行年： 2015年12月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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