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文献
J-GLOBAL ID：201502221326012110
整理番号：15A0221196
In0.65Ga0.35As/GaAs0.4Sb0.6トンネルFETの0.5V電源電圧動作
0.5V Supply Voltage Operation of In0.65Ga0.35As/GaAs0.4Sb0.6 Tunnel FET
RAJAMOHANAN Bijesh
(Pennslyvania State Univ., PA, USA)
,
RAJAMOHANAN Bijesh
(SanDisk Corp., CA, USA)
,
PANDEY Rahul
(Pennslyvania State Univ., PA, USA)
,
CHOBPATTANA Varistha
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
VAZ Canute
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
GUNDLACH David
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
CHEUNG Kin P.
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
SUEHLE John
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
STEMMER Susanne
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
DATTA Suman
(Pennslyvania State Univ., PA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 36 号： 1 ページ： 20-22 発行年： 2015年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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