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文献
J-GLOBAL ID：201502221342670535
整理番号：15A1321530
MOCVD法により合成されたNドープZnOナノ構造のp型導電性の起源
Origin of p-type conductivity for N-doped ZnO nanostructure synthesized by MOCVD method
DAS Sachindranath
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
PATRA Subhasish
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
PRAKASH Kar Jyoti
(Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Raurkella, IND)
,
ROY Atanu
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
RAY Apurba
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
MYOUNG Jae-Min
(Dep. of Material Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 161 ページ： 701-704 発行年： 2015年12月15日
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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