文献
J-GLOBAL ID:201502221342670535
整理番号:15A1321530
MOCVD法により合成されたNドープZnOナノ構造のp型導電性の起源
Origin of p-type conductivity for N-doped ZnO nanostructure synthesized by MOCVD method
著者 (6件):
DAS Sachindranath
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
PATRA Subhasish
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
PRAKASH Kar Jyoti
(Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Raurkella, IND)
,
ROY Atanu
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
RAY Apurba
(Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
MYOUNG Jae-Min
(Dep. of Material Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名:
Materials Letters
(Materials Letters)
巻:
161
ページ:
701-704
発行年:
2015年12月15日
JST資料番号:
E0935A
ISSN:
0167-577X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)