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文献
J-GLOBAL ID:201502221425731692   整理番号:15A1171358

SOA限界に近い電気ストレス下での高速SiGe:C HBTの信頼性

Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit
著者 (9件):
JACQUET T.
(IMS Lab., Univ. of Bordeaux, UMR CNRS 5218, Cours de la Liberation, 33405 Cedex Talence, FRA)
JACQUET T.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA)
SASSO G.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA)
CHAKRAVORTY A.
(Dept. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol., Madras, IND)
RINALDI N.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA)
AUFINGER K.
(Infineon Technologies AG, Neubiberg, DEU)
ZIMMER T.
(IMS Lab., Univ. of Bordeaux, UMR CNRS 5218, Cours de la Liberation, 33405 Cedex Talence, FRA)
D’ALESSANDRO V.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA)
MANEUX C.
(IMS Lab., Univ. of Bordeaux, UMR CNRS 5218, Cours de la Liberation, 33405 Cedex Talence, FRA)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 55  号: 9-10  ページ: 1433-1437  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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