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文献
J-GLOBAL ID：201502221438747369
整理番号：15A0876202
小角X線散乱技法によるシリコン微結晶の研究
Investigation of microcrystalline silicon by the small-angle X-ray-scattering technique
SHARKOV M. D.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BOIKO M. E.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BOIKO A. M.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BOBYL A. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
KONNIKOV S. G.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 49 号： 8 ページ： 1052-1056 発行年： 2015年08月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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