文献
J-GLOBAL ID:201502221454205087
整理番号:15A0521762
ヒステリシスを生じない完全に安定化したグラフェン電界効果トランジスタを得るための簡便なプロセス
A facile process to achieve hysteresis-free and fully stabilized graphene field-effect transistors
著者 (6件):
KIM Yun Ji
(Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. ...)
,
LEE Young Gon
,
JUNG Ukjin
,
LEE Sangchul
,
LEE Sang Kyung
,
LEE Byoung Hun
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
7
号:
9
ページ:
4013-4019
発行年:
2015年03月04日
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)