前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201502221511303260
整理番号：15A0744456
単原子層半導体FETにおける電子移動のシミュレーション
Simulation of Electron Transport in Atomic Monolayer Semiconductor FETs
TSUCHIYA Hideaki
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
,
TSUCHIYA Hideaki
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency)
,
KANEKO Shiro
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
,
MORI Noriyasu
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
,
HIRAI Hideki
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
資料名：
Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering (Web)
(Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering (Web))
巻： 2 号： 1 ページ： 127-152 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： U0612A ISSN： 2188-5303 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。