前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201502225897613302
整理番号：15A0298521
低温原子層デポジション法で作ったZnOベースプレーナSchottkyダイオードにおける二酸化ハフニウムスペーサの役割:電流電圧特性の研究
Role of the Hafnium Dioxide Spacer in the ZnO-Based Planar Schottky Diodes Obtained by the Low-Temperature Atomic Layer Deposition Method: Investigations of Current-Voltage Characteristics
ZAKRZEWSKI Adam J.
,
KRAJEWSKI Tomasz A.
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
LUKA Grzegorz
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GOSCINSKI Krzysztof
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GUZIEWICZ Elzbieta
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GODLEWSKI Marek
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 2 ページ： 630-633 発行年： 2015年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。