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文献
J-GLOBAL ID：201502228611235593
整理番号：15A0700886
引張歪四元InAlGaN障壁を持つ新しい高電流密度のGaNベースのノーマリーオフのトランジスタ
Novel high-current density GaN-based normally off transistor with tensile-strained quaternary InAlGaN barrier
KAJITANI Ryo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
TANAKA Kenichiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
OGAWA Masahiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Hidetoshi
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Masahiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 4S ページ： 04DF09.1-04DF09.5 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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