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文献
J-GLOBAL ID：201502229066660393
整理番号：15A0495156
不整方位グラフェン層からなる垂直デバイス中の歪誘導伝導ギャップ
Strain-induced conduction gap in vertical devices made of misoriented graphene layers
NGUYEN V Hung
(Univ. Paris Sud, Orsay, FRA)
,
NGUYEN V Hung
(Inst. of Physics, Vietnam Acad. of Sci. and Technol., Hanoi, VNM)
,
NGUYEN Huy-Viet
(Inst. of Physics, Vietnam Acad. of Sci. and Technol., Hanoi, VNM)
,
SAINT-MARTIN J
(Univ. Paris Sud, Orsay, FRA)
,
DOLLFUS P
(Univ. Paris Sud, Orsay, FRA)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 26 号： 11 ページ： 115201,1-8 発行年： 2015年03月20日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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