文献
J-GLOBAL ID:201502229232443355
整理番号:15A0532907
ハロゲン化物気相成長によるβ-Ga2O3層のホモエピタキシャル成長
Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
著者 (15件):
MURAKAMI Hisashi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
NOMURA Kazushiro
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
GOTO Ken
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KAWARA Katsuaki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
THIEU Quang Tu
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
TOGASHI Rie
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KUMAGAI Yoshinao
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
MONEMAR Bo
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
MONEMAR Bo
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KOUKITU Akinori
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
8
号:
1
ページ:
015503.1-015503.4
発行年:
2015年01月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)