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文献
J-GLOBAL ID:201502229232443355   整理番号:15A0532907

ハロゲン化物気相成長によるβ-Ga2O3層のホモエピタキシャル成長

Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
著者 (15件):
MURAKAMI Hisashi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
NOMURA Kazushiro
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
GOTO Ken
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
SASAKI Kohei
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
KAWARA Katsuaki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
THIEU Quang Tu
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
TOGASHI Rie
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
KUMAGAI Yoshinao
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
MONEMAR Bo
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
MONEMAR Bo
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
KOUKITU Akinori
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 015503.1-015503.4  発行年: 2015年01月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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