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文献
J-GLOBAL ID：201502229514494254
整理番号：15A0479212
イオンビームスパッタリング蒸着により成長させた単一Ge/Si量子ドットの電気的性質
Electronic properties of single Ge/Si quantum dot grown by ion beam sputtering deposition
WANG C
(Yunnan Univ., Kunming, CHN)
,
WANG C
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
KE S Y
(Yunnan Univ., Kunming, CHN)
,
YANG J
(Yunnan Univ., Kunming, CHN)
,
YANG J
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
HU W D
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
QIU F
(Yunnan Univ., Kunming, CHN)
,
WANG R F
(Yunnan Univ., Kunming, CHN)
,
YANG Y
(Yunnan Univ., Kunming, CHN)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 26 号： 10 ページ： 105201,1-9 発行年： 2015年03月13日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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