文献
J-GLOBAL ID:201502229680028741
整理番号:15A0473131
超低電力埋め込み計算設計用抵抗メモリ
Resistive Memories for Ultra-Low-Power embedded computing design
著者 (17件):
VIANELLO E.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
THOMAS O.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
MOLAS G.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
TURKYILMAZ O.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
JOVANOVIC N.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
GARBIN D.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
PALMA G.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
ALAYAN M.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
NGUYEN C.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
COIGNUS J.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
GIRAUD B.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
BENOIST T.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
REYBOZ M.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
TOFFOLI A.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
CHARPIN C.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
CLERMIDY F.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
,
PERNIOLA L.
(CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2014
ページ:
144-147
発行年:
2014年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)