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文献
J-GLOBAL ID：201502230702741119
整理番号：15A0564655
マグネトロンスパッタリングにより堆積したアモルファスZr-Ni-Sn薄膜の熱電特性
Thermoelectric Properties of Amorphous Zr-Ni-Sn Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering
ZHOU Yang
(Tsinghua Univ., State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, 100084 ...)
,
TAN Qing
(Tsinghua Univ., State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, 100084 ...)
,
ZHU Jie
(Chinese Acad. of Sciences, Inst. of Engineering Thermophysics, 100190, Beijing, People’s Republic of China)
,
LI Siyang
(Tsinghua Univ., State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, 100084 ...)
,
LIU Chenjin
(Tsinghua Univ., State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, 100084 ...)
,
LEI Yuxiong
(Tsinghua Univ., State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, 100084 ...)
,
LI Liangliang
(Tsinghua Univ., State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, 100084 ...)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 44 号： 6 ページ： 1957-1962 発行年： 2015年06月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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