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文献
J-GLOBAL ID：201502234005893534
整理番号：15A0700844
300mmウェハーに60nmCMOS技術で作製した閾電圧が調整出来る垂直MOSFETsに於ける低周波ノイズの削減
Low-frequency noise reduction in vertical MOSFETs having tunable threshold voltage fabricated with 60nm CMOS technology on 300mm wafer process
IMAMOTO Takuya
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IMAMOTO Takuya
(JST-ACCEL, Sendai, JPN)
,
MA Yitao
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MURAGUCHI Masakazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MURAGUCHI Masakazu
(JST-ACCEL, Sendai, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(JST-ACCEL, Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 4S ページ： 04DC11.1-04DC11.7 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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