文献
J-GLOBAL ID:201502234498277497
整理番号:15A0362225
W原子を包含したSiクラスタからなるアモルファスおよびエピタキシャルSiリッチシリサイド膜の電気特性
Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters
著者 (3件):
OKADA Naoya
(Japan Sci. and Technol. Agency, PRESTO, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)
,
UCHIDA Noriyuki
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki ...)
,
KANAYAMA Toshihiko
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
117
号:
9
ページ:
095302-095302-7
発行年:
2015年03月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)