文献
J-GLOBAL ID:201502234803636370
整理番号:15A0384414
緑色発光ダイオードの性能に対するGaN中間層へのMgドーピングの影響
Effect of Mg Doping in GaN Interlayer on the Performance of Green Light-Emitting Diodes
著者 (9件):
ZHANG Jun
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
ZHUO Xiang-Jing
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
LI Dan-Wei
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
YU Lei
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
LI Kai
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
ZHANG Yuan-Wen
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
DIAO Jia-Sheng
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
WANG Xing-Fu
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
LI Shu-Ti
(South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
27
号:
1-4
ページ:
117-120
発行年:
2015年01月01日
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)