文献
J-GLOBAL ID:201502235065035053
整理番号:15A0700836
バックゲートの寄与を含めた先進SOI-MOSFETsの移動度モデル
Mobility model for advanced SOI-MOSFETs including back-gate contribution
著者 (8件):
ZENITANI Hiroshi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KIKUCHIHARA Hideyuki
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
FELDMANN Uwe
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIYAMOTO Hidenori
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MATTAUSCH Hans Juergen
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIURA-MATTAUSCH Michiko
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
NAKAGAWA Tadashi
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUGII Nobuyuki
(Low-Power Electronics Assoc. & Project, Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DC03.1-04DC03.6
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)