文献
J-GLOBAL ID:201502235357274628
整理番号:15A0452192
二次元材料チャネルを含むMOSFETにおける短チャネル効果のシミュレーション研究
Simulation Study of Short-Channel Effect in MOSFET with Two-Dimensional Materials Channel
著者 (3件):
HARADA Naoki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
SATO Shintaro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
YOKOYAMA Naoki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻:
E98.C
号:
3
ページ:
283-286 (J-STAGE)
発行年:
2015年
JST資料番号:
U0468A
ISSN:
1745-1353
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)