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文献
J-GLOBAL ID：201502235570539023
整理番号：15A0170259
アンモニアベースの分子ビームエピタクシーによって成長させたMgドープp型GaN中の深い準位状態に及ぼす陽子照射の効果
Proton irradiation effects on deep level states in Mg-doped p-type GaN grown by ammonia-based molecular beam epitaxy
ZHANG Z.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
AREHART A. R.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
,
KYLE E. C. H.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
CHEN J.
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA)
,
ZHANG E. X.
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA)
,
FLEETWOOD D. M.
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA)
,
SCHRIMPF R. D.
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA)
,
SPECK J. S.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
RINGEL S. A.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 2 ページ： 022104-022104-5 発行年： 2015年01月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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