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文献
J-GLOBAL ID：201502235697449236
整理番号：15A0397105
InGaN/GaN構造からのトレンチ欠陥とVピットの除去
Elimination of trench defects and V-pits from InGaN/GaN structures
SMALC-KOZIOROWSKA Julita
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ...)
,
GRZANKA Ewa
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ...)
,
CZERNECKI Robert
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ...)
,
SCHIAVON Dario
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ...)
,
LESZCZYNSKI Mike
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 10 ページ： 101905-101905-4 発行年： 2015年03月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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