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文献
J-GLOBAL ID：201502235832273496
整理番号：15A0445091
単層半導性遷移金属二カルコゲン化物の欠陥に誘起された光ルミネセンス
Defect-Induced Photoluminescence in Monolayer Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides
CHOW Philippe K.
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
JACOBS-GEDRIM Robin B.
(SUNY Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, New York, USA)
,
GAO Jian
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
LU Toh-Ming
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
YU Bin
(SUNY Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, New York, USA)
,
TERRONES Humberto
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
KORATKAR Nikhil
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 9 号： 2 ページ： 1520-1527 発行年： 2015年02月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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