文献
J-GLOBAL ID:201502236293757804
整理番号:15A0304307
縮尺したInGaAsとSiを対比したトライゲートMOSFETにおける移動度および容量比較
Mobility and Capacitance Comparison in Scaled InGaAs Versus Si Trigate MOSFETs
著者 (5件):
MARIN Enrique G.
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
,
RUIZ Francisco G.
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
,
GODOY Andres
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
,
TIENDA-LUNA Isabel M.
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
,
GAMIZ Francisco
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
2
ページ:
114-116
発行年:
2015年02月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)