文献
J-GLOBAL ID:201502236968628642
整理番号:15A0222865
マイクロ波照射ポスト堆積アニーリングを用いた高性能超薄ボディSnO2薄膜トランジスタの作製
Fabrication of high-performance ultra-thin-body SnO2 thin-film transistors using microwave-irradiation post-deposition annealing
著者 (3件):
JO Kwang-won
(Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 20 Gwangun-ro, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
,
MOON Sung-wan
(Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 20 Gwangun-ro, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
,
CHO Won-ju
(Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 20 Gwangun-ro, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
4
ページ:
043501-043501-4
発行年:
2015年01月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)