文献
J-GLOBAL ID:201502237230258715
整理番号:15A0012620
プラズマCVDヘテロエピタキシャルグラフェン素子の電子的性質に及ぼす前処理の影響【Powered by NICT】
Effects of Pretreatment on the Electronic Properties of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Hetero-Epitaxial Graphene Devices
著者 (4件):
Zhang Lianchang
(Dep. of Physics, Kunming Univ., Kunming)
,
Shi Zhiwen
(Inst. of Physics,Chinese Acad. of Sciences Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Beijing)
,
Yang Rong
(Inst. of Physics,Chinese Acad. of Sciences Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Beijing)
,
Huang Jian
(Dep. of Physics, Kunming Univ., Kunming)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
31
号:
9
ページ:
97301-1-97301-4
発行年:
2014年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)