文献
J-GLOBAL ID:201502237279242970
整理番号:15A0533073
Al2O3/GaSb/GaAs金属-酸化物-半導体構造に及ぼすHCl処理とプレデポジション真空焼なましの効果
Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal-oxide-semiconductor structures
著者 (8件):
GOTOW Takahiro
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
GOTOW Takahiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUJIKAWA Sachie
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
FUJISHIRO Hiroki I.
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
OGURA Mutsuo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YASUDA Tetsuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MAEDA Tatsuro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MAEDA Tatsuro
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
2
ページ:
021201.1-021201.5
発行年:
2015年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)