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文献
J-GLOBAL ID：201502237762411120
整理番号：15A0543627
Li2MnGeS4における非常に顕著なレーザー損傷閾値およびダイヤモンド型半導体における同調可能な光学的非線形
Outstanding Laser Damage Threshold in Li2MnGeS4 and Tunable Optical Nonlinearity in Diamond-Like Semiconductors
BRANT Jacilynn A.
(Duquesne Univ., Pennsylvania, USA)
,
CLARK Daniel J.
(Binghamton Univ., New York, USA)
,
KIM Yong Soo
(Binghamton Univ., New York, USA)
,
KIM Yong Soo
(Univ. Ulsan, Ulsan, KOR)
,
JANG Joon I.
(Binghamton Univ., New York, USA)
,
WEILAND Ashley
(Duquesne Univ., Pennsylvania, USA)
,
AITKEN Jennifer A.
(Duquesne Univ., Pennsylvania, USA)
資料名：
Inorganic Chemistry
(Inorganic Chemistry)
巻： 54 号： 6 ページ： 2809-2819 発行年： 2015年03月16日
JST資料番号： C0566A ISSN： 0020-1669 CODEN： INOCAJ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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