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文献
J-GLOBAL ID：201502238594612243
整理番号：15A0127399
超スケールSi-MOSFETの準弾道輸送に対する高まった音響フォノン変形ポテンシャルと表面粗さ散乱の効果
Effects of increased acoustic phonon deformation potential and surface roughness scattering on quasi-ballistic transport in ultrascaled Si-MOSFETs
KOBA Shunsuke
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
ISHIDA Ryoma
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
KUBOTA Yuko
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TSUCHIYA Hideaki
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
TSUCHIYA Hideaki
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KAMAKURA Yoshinari
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAMAKURA Yoshinari
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MORI Nobuya
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Nobuya
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
OGAWA Matsuto
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 11 ページ： 114301.1-114301.8 発行年： 2014年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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