文献
J-GLOBAL ID:201502238673150670
整理番号:15A0698077
ゲートで調節できるInAs/(Al,Ga)Sb二次元電子ガスにおける散乱機構の研究
Studies of scattering mechanisms in gate tunable InAs/(Al,Ga)Sb two dimensional electron gases
著者 (5件):
SHOJAEI B.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
MCFADDEN A.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SHABANI J.
(California NanoSystems Inst., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SCHULTZ B. D.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
PALMSTROM C. J.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
22
ページ:
222101-222101-4
発行年:
2015年06月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)