文献
J-GLOBAL ID:201502238782976945
整理番号:15A0396582
低ターンオン電圧デュアルメタルAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード
Low Turn-on voltage dual metal AlGaN/GaN Schottky barrier diode
著者 (7件):
CHANG Ting-Fu
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Chih-Fang
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG Tsung-Yu
(Richtek Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHIU Chien-Wei
(Richtek Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Tsung-Yi
(Richtek Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
LEE Kung-Yen
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
ZHAO Feng
(Washington State Univ., WA, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
105
ページ:
12-15
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)