文献
J-GLOBAL ID:201502240442986690
整理番号:15A0646543
進展した水素生産のための還元グラフェン酸化物の界面銅ドープTiO2p-nヘテロ接合における電子貯蔵,移動およびシャトリングアセットの影響
Influence of electron storing, transferring and shuttling assets of reduced graphene oxide at the interfacial copper doped TiO2 p-n heterojunction for increased hydrogen production
著者 (7件):
BABU Sundaram Ganesh
(SRM Res. Inst., SRM Univ., Kattankulathur, 603203, Chennai, Tamilnadu, India. neppolian.b@res.srmuniv.ac.in)
,
VINOTH Ramalingam
,
PRAVEEN KUMAR Dharani
,
SHANKAR Muthukonda V.
,
CHOU Hung-Lung
,
VINODGOPAL Kizhanipuram
,
NEPPOLIAN Bernaurdshaw
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
7
号:
17
ページ:
7849-7857
発行年:
2015年05月07日
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)