文献
J-GLOBAL ID:201502241718945239
整理番号:15A0518638
ナノスケールMOSトランジスタにおけるゲート酸化膜トンネル電流の磁気変調の実験およびシミュレーションの結果
Experimental and Simulation Results of Magnetic Modulation of Gate Oxide Tunneling Current in Nanoscaled MOS Transistors
著者 (7件):
RODRIGUEZ-RUIZ Gabriela A.
(National Inst. Astrophysics, Optics, and Electronics, Tonantzintla, MEX)
,
GUTIERREZ-DOMINGUEZ Edmundo A.
(National Inst. Astrophysics, Optics, and Electronics, Tonantzintla, MEX)
,
SARMIENTO-REYES Arturo
(National Inst. Astrophysics, Optics, and Electronics, Tonantzintla, MEX)
,
STANOJEVIC Zlatan
(Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT)
,
KOSINA Hans
(Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT)
,
GUARIN Fernando J.
(IBM, NY, USA)
,
GARCIA-RAMIREZ Pedro J.
(Universidad Veracruzana, Xalapa, MEX)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
4
ページ:
387-389
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)