文献
J-GLOBAL ID:201502242094055094
整理番号:15A0700863
超低供給電圧動作のための比率のない完全相補型12-トランジスタ・スタティックRAM
Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation
著者 (6件):
KONDO Takahiro
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
YAMAMOTO Hiromasa
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
HOKETSU Satoko
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
IMI Hitoshi
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
OKAMURA Hitoshi
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
NAKAMURA Kazuyuki
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DD11.1-04DD11.6
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)