文献
J-GLOBAL ID:201502242115302330
整理番号:15A0700854
30nmのNAND型フラッシュメモリーにおけるランダム電報雑音 空間と統計分布へのチャンネルドーピング濃度とセル・プログラム状態依存
Channel doping concentration and cell program state dependence on random telegraph noise spatial and statistical distribution in 30nm NAND flash memory
著者 (2件):
TOMITA Toshihiro
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
MIYAJI Kousuke
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DD02.1-04DD02.6
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)