文献
J-GLOBAL ID:201502242120863404
整理番号:15A0445761
高品質Ge/Al/ガラス構造用の逆Al誘起層交換プロセスに対する拡散制御層の影響
Effect of Diffusion Control Layer on Reverse Al-Induced Layer Exchange Process for High-Quality Ge/Al/Glass Structure
著者 (3件):
NAKAZAWA K.
(Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, 1-1-1 Tennodai, 305-8573, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TOKO K.
(Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, 1-1-1 Tennodai, 305-8573, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU T.
(Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, 1-1-1 Tennodai, 305-8573, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
44
号:
5
ページ:
1377-1381
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)