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文献
J-GLOBAL ID：201502242676213700
整理番号：15A0700862
Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si 抵抗スイッチング・デバイスの形成電圧に対する挿入Ta極薄層とポスト堆積アニールの影響
Impact of inserted Ta ultrathin layer and postdeposition annealing on the forming voltage of Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si resistive switching devices
ASANUMA Shutaro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMA Hisashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMAZAKI Masashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
HAYAMA Kazumi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
HATA Nobuhiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
AKINAGA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 4S ページ： 04DD10.1-04DD10.3 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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